在人工智能这件事儿上网络

材料工程技术瓶颈被打破，中国半导体设备研发将进入加速通道

半导体设备商应用材料（Applied Materials）日前宣布，材料工程获得技术突破，能在大数据与人工智能（AI）时代加速芯片效能。应用材料表示，20年来首桩晶体管接点与导线的重大金属材料变革，能解除7纳米及以下晶圆工艺主要的效能瓶颈，由于钨（W）在晶体管接点的电性表现与铜（Cu）的局部终端金属导线工艺都已逼近物理极限

，成为FinFET无法完全发挥效能的瓶颈，因此芯片设计者在7纳米以下能以钴（Co）金属取代钨与铜，藉以增进15%芯片效能。

采用钴可优化先进工艺金属填充情形，延续7纳米以下工艺微缩

钨和铜是目前先进工艺采用的重要金属材料，然而钨和铜与绝缘层附着力差，因此都需要衬层（Liner Layer）增加金属与绝缘层间的附着力；此外，为了避免阻止钨及铜原子扩散至绝缘层而影响芯片电性，必须有障壁层（Barrier Layer）存在。

随着工艺微缩至20纳米以下，以钨Contact（金属导线及晶体管间的连接通道称为Contact，由于Contact实际形状为非常贴近圆柱体的圆锥体，因此Contact CD一般指的是Contact直径）工艺为例，20纳米的Contact CD中，Barrier就占8纳米，Contact中实际金属层为12纳米（Metal Fill 8nm＋Nucleation 4nm），Contact CD为10纳米时，实际金属层仅剩2纳米，以此估算Contact CD为8纳米时将没有金属层的容纳空间，此时衬层及障壁层的厚度成了工艺微缩瓶颈。然而同样10纳米的Contact CD若采用钴（如下图），其障壁层仅4纳米，而实际金属层有6纳米，相较于采用钨更有潜力在7纳米以下工艺持续发展。

金属材料变革将影响中国半导体设备的研发方向

目前中国半导体设备以蚀刻、薄膜及CMP发展脚步最快，此部分将以打入主流厂商产线、取得认证并藉此建立量产数据为目标，朝向打入先进工艺的前段晶体管工艺之远期目标相当明确，然而相较国际主流半导体设备厂商的技术水平，中国半导体设备厂商仍是追随者角色，因此钴取代钨和铜的趋势确立，将影响中国半导体设备厂商尤其是蚀刻、薄膜及CMP的研究发展方向。

丁桂薏芽健脾凝能治腹泻吗薏芽健脾凝胶吃多久小孩健脾胃的药吃什么好青海治疗妇科费用

西宁妇科医院哪家好

天津牛皮癣专科医院