飞思卡尔推出增强耐用性的射频功率晶体管.鼓励

蒙特利尔（2012年国际微波研讨会）讯－为了满足市场对射频功率器件增强耐用性和在广泛的频率范围进行宽带运行的需求，飞思卡尔半导体公司推出了两款功能丰富的器件，旨在为采用LDMOS处理技术制造的射频功率产品提供新级别的线性和耐用性。

新产品包括25 W 的MRFE6VS25N和100 W 的MRFE6VP100H，在整个频率覆盖范围内能提供完整的CW额定功率。设计这两款产品的目的在于简化放大器设计的复杂性、节约成本，同时提高系统的可靠性。

新推出的器件是用于类似应用的GaN解决方案的极好替代产品，能够处理VSWR大于65:1的阻抗不匹配情况，从而以极低的器件成本实现卓越的线性。宽带 LDMOS FET的设计目的是为了在极其恶劣的条件下也能无缝运行， 这时产品的耐用性和可用性至关重要 。目标应用包括HF-UHF发射器和收发器、电视发射器、空白区域数据收发器、航空航天/国防系统、测试设备和雷达系统。

飞思卡尔副总裁兼射频事业部总经理Ritu Favre表示：“凭借这些新产品，飞思卡尔射频功率产品的足迹正从无线基础设施领域踏入邻近的高增长市场。这些新产品的卓越性能和耐用性将对广大客户和广泛应用极具吸引力。”

新产品采用飞思卡尔低热阻封装，目的是最大限度降低内部升温，提高长期可靠性，同时减少热管理问题。新产品还集成了能在众多运行环境中增强电路稳定性的内部络，从而简化了外部电路。为了保证最佳耐用性，飞思卡尔在远超出正常运行条件下来测试，即在超出额定工作电压20％，两倍额定射频输入功率及阻抗不匹配值 VSWR=65:1的条件下进行评估。

应用的多样化

MRFE6VS25N和MRFE6VP100H的宽带频率覆盖范围允许设计师使用单个放大器覆盖多个频段，例如1.8 - 54 MHz、 0 - 512 MHz，从而减少了材料、缩小了放大器尺寸，减轻了重量，降低了切换损耗，并缩减了日常冷却开支。新产品结合宽带能力、耐用性和频率范围广等优势，且成本低于同等的GaN（氮化镓）器件。

MRFE6VS25N和MRFE6VP100H规格包括：

MRFE6VS25N：25 W CW， 频段为1.8- 0 MHz时增益超过26 dB，512 MHz时增益超过25 dB ，效率为50％-7 ％，在VSWR> 65:1的环境中可完全达到额定性能。

MRFE6VP100H： 100 W CW，频段为512 MHz时增益超过26 dB ， MHz时增益超过19 dB，效率为40％-71％，在VSWR> 65:1的环境中可完全达到额定性能。

MRFE6VS25N晶体管采用飞思卡尔 TO-包覆成型塑料封装， MRFE6VP100H/HS晶体管采用飞思卡尔 NI-和NI-780S-4空气腔封装。

供货情况

MRFE6VS25N和MRFE6VP100H现已开始生产。参考设计和其它支持工具一并提供。欲获取样品和价格信息，请联系飞思卡尔半导体公司在当地的飞思卡尔销售办事处或授权经销商。

有关MRFE6VS25N和MRFE6VP100H的其它信息，请浏览 / RFpower。

关于飞思卡尔半导体

国家对艾滋病进行免费抗病毒治疗飞思卡尔半导体（NYSE:FSL）是嵌入式处理解决方案的全球领导者，提供业界领先的产品，不断提升汽车、消费电子、工业和络市场。我们的技术从微处理器和微控制器到传感器、模拟集成电路和连接，它们是我们不断创新的基础，也使我们的世界更环保、更安全、更健康以及连接更紧密。我们的一些主要应用和终端市场包括汽车安全、混合动力和全电动汽车、下一代无线基础设施、智能能源管理、便携式医疗器件、消费电器以及智能移动器件等。公司总部位于德克萨斯州奥斯汀市，在全世界拥有多家设计、研发、制造和销售机构。如需有关飞思卡尔的更多信息，请访问